창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8408-7TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFS8408-7P | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 315nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 294W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IFAUIRFS8408-7TRL SP001522368 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFS8408-7TRL | |
| 관련 링크 | AUIRFS840, AUIRFS8408-7TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | T61-C350X | GDT 400V 25% 20KA THROUGH HOLE | T61-C350X.pdf | |
![]() | CT-L21AC08-IM-CD | CT-L21AC08-IM-CD ORIGINAL QFP | CT-L21AC08-IM-CD.pdf | |
![]() | MN101D02GCK | MN101D02GCK HD SMD or Through Hole | MN101D02GCK.pdf | |
![]() | XG-1000CA75.000MHZ | XG-1000CA75.000MHZ EPSON ORIGINAL | XG-1000CA75.000MHZ.pdf | |
![]() | 4.91C2Z | 4.91C2Z ORIGINAL SMD or Through Hole | 4.91C2Z.pdf | |
![]() | L2L13C223MAB1A | L2L13C223MAB1A AVX SMD-8-0508 | L2L13C223MAB1A.pdf | |
![]() | D270B | D270B INTEL DIP | D270B.pdf | |
![]() | CSTCE8M0G52R-R0 | CSTCE8M0G52R-R0 MURATA SMD | CSTCE8M0G52R-R0.pdf | |
![]() | GRM36X7R102K050AQ(0402-102K) | GRM36X7R102K050AQ(0402-102K) ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM36X7R102K050AQ(0402-102K).pdf |