창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS4410Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS(L)4410Z | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4820pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001520704 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS4410Z | |
관련 링크 | AUIRFS, AUIRFS4410Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
PG0087.152NL | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 34 mOhm Max Nonstandard | PG0087.152NL.pdf | ||
Y000788R2200T0L | RES 88.22 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000788R2200T0L.pdf | ||
M10S1500-032 | M10S1500-032 OKI QFP | M10S1500-032.pdf | ||
SID2512X01-AOBO | SID2512X01-AOBO SAMSUNG DIP32 | SID2512X01-AOBO.pdf | ||
EKY350ELL471MK15S | EKY350ELL471MK15S NIPPON SMD | EKY350ELL471MK15S.pdf | ||
EVM2NSX80B1 | EVM2NSX80B1 Panasonic SMD or Through Hole | EVM2NSX80B1.pdf | ||
CY2283APVC-4 | CY2283APVC-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | CY2283APVC-4.pdf | ||
H25255 | H25255 HARRIS SOP-8 | H25255.pdf | ||
BBY57-02W E6327 0603-55 PB-FREE | BBY57-02W E6327 0603-55 PB-FREE INFINEON SMD or Through Hole | BBY57-02W E6327 0603-55 PB-FREE.pdf | ||
CO-401B-2B | CO-401B-2B ORIGINAL SMD or Through Hole | CO-401B-2B.pdf | ||
STB40NE03L_20 | STB40NE03L_20 ST TO 263 | STB40NE03L_20.pdf |