창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS3607 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS(L)3607 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001516006 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS3607 | |
관련 링크 | AUIRFS, AUIRFS3607 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
KC7050A27.0000C3GE00 | 27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Standby (Power Down) | KC7050A27.0000C3GE00.pdf | ||
RT0603WRB0724K9L | RES SMD 24.9K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB0724K9L.pdf | ||
FM25V10-PGCTR | FM25V10-PGCTR RIC DIP8 | FM25V10-PGCTR.pdf | ||
H9TP2GG1GBACTR | H9TP2GG1GBACTR Hynix FBGA | H9TP2GG1GBACTR.pdf | ||
M666AR | M666AR AD SOP8 | M666AR.pdf | ||
BL-HZ836Q-LR12-TRB | BL-HZ836Q-LR12-TRB BRIGHT 3000R | BL-HZ836Q-LR12-TRB.pdf | ||
FOD617300W | FOD617300W FSC DIP SOP | FOD617300W.pdf | ||
NRA225K16RSG | NRA225K16RSG nec SMD or Through Hole | NRA225K16RSG.pdf | ||
RS70r4710% | RS70r4710% ORIGINAL D L OHM | RS70r4710%.pdf | ||
HM6789HJP15 | HM6789HJP15 HIT SOJ | HM6789HJP15.pdf | ||
HN29W256AOBBP-30 | HN29W256AOBBP-30 HIT SOP | HN29W256AOBBP-30.pdf |