창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS3306 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFS3306 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001517554 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFS3306 | |
| 관련 링크 | AUIRFS, AUIRFS3306 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | B82498F3820G1 | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 190 mOhm Max 2-SMD | B82498F3820G1.pdf | |
![]() | RCH875NP-470K | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 150 mOhm Max Radial | RCH875NP-470K.pdf | |
![]() | SOMC1403100RGEA | RES ARRAY 7 RES 100 OHM 14SOIC | SOMC1403100RGEA.pdf | |
![]() | ST5973A | ST5973A ST SOP8 | ST5973A.pdf | |
![]() | CS9928S | CS9928S ORIGINAL QFP | CS9928S.pdf | |
![]() | SMH4821S | SMH4821S SUMMIT SOP-8 | SMH4821S.pdf | |
![]() | TACT476M010RNJ | TACT476M010RNJ AVX T | TACT476M010RNJ.pdf | |
![]() | MAX13183EELB+ | MAX13183EELB+ MAXIM TDFN-10 | MAX13183EELB+.pdf | |
![]() | IDT75K62134S167BBI | IDT75K62134S167BBI IDT BGA | IDT75K62134S167BBI.pdf | |
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