창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS3206TRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS(L)3206 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6540pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | AUIRFS3206TRL-ND AUIRFS3206TRLTR SP001515868 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS3206TRL | |
관련 링크 | AUIRFS3, AUIRFS3206TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BTA24-400BWRG.. | BTA24-400BWRG.. ST TO-220 | BTA24-400BWRG...pdf | ||
L05172 | L05172 ST SSOP36 | L05172.pdf | ||
MDBT*S703AP5 | MDBT*S703AP5 ST BGA | MDBT*S703AP5.pdf | ||
MSP1471IPM | MSP1471IPM TI SMD or Through Hole | MSP1471IPM.pdf | ||
10FMN-SMT-A-TF | 10FMN-SMT-A-TF JST SMD or Through Hole | 10FMN-SMT-A-TF.pdf | ||
C4532JB2J683KT | C4532JB2J683KT TDK SMD or Through Hole | C4532JB2J683KT.pdf | ||
TA0254A | TA0254A TST SMD | TA0254A.pdf | ||
SI6983DQ | SI6983DQ VISHAY TSSOP-8 | SI6983DQ.pdf | ||
1SV271(TPH3,F) | 1SV271(TPH3,F) ORIGINAL SOD323 | 1SV271(TPH3,F).pdf | ||
45FGEM-SM1-GAN-T-TF | 45FGEM-SM1-GAN-T-TF JST 45p | 45FGEM-SM1-GAN-T-TF.pdf | ||
54107DMQB | 54107DMQB NS DIP | 54107DMQB.pdf | ||
10LSW33000M36X63 | 10LSW33000M36X63 Rubycon DIP-2 | 10LSW33000M36X63.pdf |