창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR6215TRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFR6215 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 Des Rev 22/Oct/2014 | |
PCN 조립/원산지 | D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001522196 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR6215TRL | |
관련 링크 | AUIRFR6, AUIRFR6215TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
NX2520SA-26.000000MHZ | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 70옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX2520SA-26.000000MHZ.pdf | ||
2SC4617EBTLR | TRANS NPN 50V 0.15A EMT3 | 2SC4617EBTLR.pdf | ||
PCF8582A-P | PCF8582A-P PHILIPS DIP-8 | PCF8582A-P.pdf | ||
SS110B | SS110B MDD/ SMB | SS110B.pdf | ||
HFBR-RNS001 | HFBR-RNS001 AVAGO DIP | HFBR-RNS001.pdf | ||
TL431C-TA | TL431C-TA LF TO-92S | TL431C-TA.pdf | ||
MM1427 | MM1427 MITSUMI TSSOP8 | MM1427.pdf | ||
FC255 / 32.768KHz | FC255 / 32.768KHz EPSON SMD or Through Hole | FC255 / 32.768KHz.pdf | ||
MAX323CSA-T | MAX323CSA-T MAXIM SOP8 | MAX323CSA-T.pdf | ||
VLF752 | VLF752 QFN SMD or Through Hole | VLF752.pdf | ||
AD7798BRUZ-ADI | AD7798BRUZ-ADI ADI SMD or Through Hole | AD7798BRUZ-ADI.pdf | ||
561-06062 | 561-06062 EAGLE/WSI SMD or Through Hole | 561-06062.pdf |