창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR4292 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFR/U4292 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | AUIRFR4292 Saber Model AUIRFR4292 Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 345m옴 @ 5.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 705pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001520304 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR4292 | |
관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR4292 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C0603C0G1H330J030BA | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1H330J030BA.pdf | |
![]() | VJ0402D1R2DXBAC | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R2DXBAC.pdf | |
![]() | MP2607 | MP2607 MPUISE SMD or Through Hole | MP2607.pdf | |
![]() | TLC59282 | TLC59282 ORIGINAL SSOP24 | TLC59282.pdf | |
![]() | R-78C1.8-1.0 | R-78C1.8-1.0 RECOM SIP-3 | R-78C1.8-1.0.pdf | |
![]() | JWI1008C-R27J | JWI1008C-R27J ORIGINAL SMD or Through Hole | JWI1008C-R27J.pdf | |
![]() | MC79L05ACZ | MC79L05ACZ SAMSUNG TR | MC79L05ACZ.pdf | |
![]() | TP2D XXXX -3W | TP2D XXXX -3W MAX SMD or Through Hole | TP2D XXXX -3W.pdf | |
![]() | HSMS2825BLKG | HSMS2825BLKG avago SMD or Through Hole | HSMS2825BLKG.pdf | |
![]() | KOV6402 | KOV6402 PHILIPS QFP | KOV6402.pdf |