창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR2307Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFR2307Z | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001522814 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFR2307Z | |
| 관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR2307Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| UPS2A100MED | 10µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS2A100MED.pdf | ||
| RSMF3JT430R | RES METAL OX 3W 430 OHM 5% AXL | RSMF3JT430R.pdf | ||
![]() | SM5825BP | SM5825BP NPC DIP30 | SM5825BP.pdf | |
![]() | TDA3619/N2 | TDA3619/N2 PHI DIP | TDA3619/N2.pdf | |
![]() | 1210 1% 3.3R | 1210 1% 3.3R SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 1% 3.3R.pdf | |
![]() | 878200040 | 878200040 MLX SMD | 878200040.pdf | |
![]() | E3118 | E3118 maconics SOP | E3118.pdf | |
![]() | NACEN470M6.3V5X5.5TR13F | NACEN470M6.3V5X5.5TR13F NICCOMP SMD | NACEN470M6.3V5X5.5TR13F.pdf | |
![]() | HSMP-3893 | HSMP-3893 HP SMD or Through Hole | HSMP-3893.pdf | |
![]() | NS32C201N-10C | NS32C201N-10C NSC DIP24 | NS32C201N-10C.pdf | |
![]() | VI-ANN-S | VI-ANN-S VICOR SMD or Through Hole | VI-ANN-S.pdf | |
![]() | M38503M4-205SP | M38503M4-205SP MIT DIP | M38503M4-205SP.pdf |