창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR2307Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFR2307Z | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2190pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001522814 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR2307Z | |
관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR2307Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BFC236512394 | 0.39µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | BFC236512394.pdf | |
![]() | UNR522600L | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 | UNR522600L.pdf | |
![]() | 2474R-07K | 3.3µH Unshielded Molded Inductor 4.7A 16 mOhm Max Axial | 2474R-07K.pdf | |
![]() | RT1210FRD073K48L | RES SMD 3.48K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD073K48L.pdf | |
![]() | 73300-821-9062(12mH) | 73300-821-9062(12mH) ORIGINAL SMD or Through Hole | 73300-821-9062(12mH).pdf | |
![]() | KA2233 | KA2233 SAMSUNG DIP | KA2233.pdf | |
![]() | LP-USM050F | LP-USM050F ORIGINAL SMD | LP-USM050F.pdf | |
![]() | LM2902ADMR2 | LM2902ADMR2 ORIGINAL SOP | LM2902ADMR2.pdf | |
![]() | 7N80L | 7N80L UTC TO-220F | 7N80L.pdf | |
![]() | S23D14B0 | S23D14B0 IR SMD or Through Hole | S23D14B0.pdf | |
![]() | FCPF7N60NT=7N60 | FCPF7N60NT=7N60 ORIGINAL TO220F | FCPF7N60NT=7N60.pdf | |
![]() | C477A | C477A PRX MODULE | C477A.pdf |