창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR024N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF(R,U)024N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001515958 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFR024N | |
관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR024N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D1R3BLPAP | 1.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R3BLPAP.pdf | |
![]() | 0273.300H | FUSE BOARD MNT 300MA 125VAC/VDC | 0273.300H.pdf | |
![]() | RT0805DRE0717K8L | RES SMD 17.8K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0717K8L.pdf | |
![]() | Y0785910R000B9L | RES 910 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0785910R000B9L.pdf | |
![]() | AD584KH/+ | AD584KH/+ AD CAN | AD584KH/+.pdf | |
![]() | LM324MTX/NOPB | LM324MTX/NOPB N/A SMD or Through Hole | LM324MTX/NOPB.pdf | |
![]() | MP2263-DN | MP2263-DN MP SOP8 | MP2263-DN.pdf | |
![]() | RVG3A08-152VM-TP | RVG3A08-152VM-TP MURATA SMD | RVG3A08-152VM-TP.pdf | |
![]() | GRM3915V1042025AD | GRM3915V1042025AD ROT RES | GRM3915V1042025AD.pdf | |
![]() | 50SJV0R33M4X6.1 | 50SJV0R33M4X6.1 RUBYCON SMD or Through Hole | 50SJV0R33M4X6.1.pdf | |
![]() | LP3961EMP-2.5/NOPB | LP3961EMP-2.5/NOPB NSC SMD or Through Hole | LP3961EMP-2.5/NOPB.pdf | |
![]() | MIC5252 | MIC5252 ORIGINAL SOT23-5 | MIC5252.pdf |