창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFP4310Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFP4310Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 128A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 77A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 188nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7120pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001522702 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFP4310Z | |
| 관련 링크 | AUIRFP, AUIRFP4310Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 32101600021 | FUSE CRTRDGE 160MA 250VAC NONSTD | 32101600021.pdf | |
![]() | SIT8924BM-12-33N-4.000000D | OSC XO 3.3V 4MHZ NC | SIT8924BM-12-33N-4.000000D.pdf | |
![]() | 36401E1N5BTDF | 1.5nH Unshielded Thin Film Inductor 700mA 250 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | 36401E1N5BTDF.pdf | |
![]() | RNF12FTC11K8 | RES 11.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC11K8.pdf | |
![]() | B20J12K5 | RES 12.5K OHM 20W 5% AXIAL | B20J12K5.pdf | |
![]() | NKR243-B | NKR243-B STANLEY ROHS | NKR243-B.pdf | |
![]() | BZX584C20 Y7 | BZX584C20 Y7 ZTJ SOD-523 | BZX584C20 Y7.pdf | |
![]() | 71.31.8230.1021 | 71.31.8230.1021 FINDER DIP-SOP | 71.31.8230.1021.pdf | |
![]() | 7MBR35SB120-70 | 7MBR35SB120-70 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35SB120-70.pdf | |
![]() | BA80BC0COT | BA80BC0COT ROHM SMD or Through Hole | BA80BC0COT.pdf | |
![]() | CS2102 | CS2102 ORIGINAL DIP8 DIP14 | CS2102.pdf | |
![]() | 29F002NTTC-901C6088 | 29F002NTTC-901C6088 MX SMD or Through Hole | 29F002NTTC-901C6088.pdf |