창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFP4110 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFP4110 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001517386 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFP4110 | |
관련 링크 | AUIRFP, AUIRFP4110 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MAL211637101E3 | 100µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | MAL211637101E3.pdf | |
![]() | VJ1812A101JXGAT00 | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | VJ1812A101JXGAT00.pdf | |
![]() | CMF55274K00FKRE70 | RES 274K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55274K00FKRE70.pdf | |
![]() | SSDSA2CW120G3K5,911565 | SSDSA2CW120G3K5,911565 INTEL SMD or Through Hole | SSDSA2CW120G3K5,911565.pdf | |
![]() | CSTCC4.19MGC-TC | CSTCC4.19MGC-TC MURATA SMD or Through Hole | CSTCC4.19MGC-TC.pdf | |
![]() | 0251V | 0251V TECH SOP18 | 0251V.pdf | |
![]() | TPS5430DDAG4 | TPS5430DDAG4 TI SOP8 | TPS5430DDAG4.pdf | |
![]() | 533531091 | 533531091 MOLEX 10P | 533531091.pdf | |
![]() | 77-10-43 | 77-10-43 weinschel SMD or Through Hole | 77-10-43.pdf | |
![]() | MMBZ27VAT1G | MMBZ27VAT1G ON SOT | MMBZ27VAT1G.pdf | |
![]() | BUS64103-600 | BUS64103-600 MOT DIP | BUS64103-600.pdf |