창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFP2602 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFP2602 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 180A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 390nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001522246 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFP2602 | |
관련 링크 | AUIRFP, AUIRFP2602 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF651M0000FKBF11 | RES 1M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M0000FKBF11.pdf | |
![]() | OPB981P51Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB981P51Z.pdf | |
![]() | 2SK4066. | 2SK4066. S TO-263-3L | 2SK4066..pdf | |
![]() | MLK1005S6N8DT | MLK1005S6N8DT TDK SMD or Through Hole | MLK1005S6N8DT.pdf | |
![]() | E09A45LA | E09A45LA EPSON SMD | E09A45LA.pdf | |
![]() | ACB1608H102-T | ACB1608H102-T TDK SMD or Through Hole | ACB1608H102-T.pdf | |
![]() | RS8967 | RS8967 ORIGINAL DIP8 | RS8967.pdf | |
![]() | H11C5300 | H11C5300 FSC/INF/VIS DIPSOP | H11C5300.pdf | |
![]() | SN74LVC1G79DRLR// SO | SN74LVC1G79DRLR// SO ORIGINAL SMD or Through Hole | SN74LVC1G79DRLR// SO.pdf | |
![]() | TNY276PN/TNY276GN | TNY276PN/TNY276GN power dip sop | TNY276PN/TNY276GN.pdf | |
![]() | TC7S86F/ | TC7S86F/ TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7S86F/.pdf | |
![]() | DCV10512DP | DCV10512DP BB DIP | DCV10512DP.pdf |