창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFP064N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFP064N | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 59A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001520104 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFP064N | |
| 관련 링크 | AUIRFP, AUIRFP064N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 947D421K122CGRSN | 420µF Film Capacitor 230V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 3.937" Dia (100.00mm) | 947D421K122CGRSN.pdf | |
![]() | ERA-2AEB1541X | RES SMD 1.54KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB1541X.pdf | |
![]() | Y000725R5000B0L | RES 25.5 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000725R5000B0L.pdf | |
![]() | GA150TD120K | GA150TD120K IR SMD or Through Hole | GA150TD120K.pdf | |
![]() | KA8507CDTE | KA8507CDTE SAMSUNG SMD | KA8507CDTE.pdf | |
![]() | ICS9248BG-154 | ICS9248BG-154 ICS TSSOP | ICS9248BG-154.pdf | |
![]() | R41AE | R41AE NS DIP | R41AE.pdf | |
![]() | ASP6506701 | ASP6506701 SAMTEC SMD or Through Hole | ASP6506701.pdf | |
![]() | DG419J | DG419J SILICONI DIP8 | DG419J.pdf | |
![]() | MMB020750B22K7F | MMB020750B22K7F vishay SMD or Through Hole | MMB020750B22K7F.pdf | |
![]() | 103-140-10 | 103-140-10 Mitutoyo SMD or Through Hole | 103-140-10.pdf | |
![]() | BH6557FV | BH6557FV ROHM TSSOP16 | BH6557FV.pdf |