창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFL014NTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFL014N | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001521554 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFL014NTR | |
| 관련 링크 | AUIRFL0, AUIRFL014NTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-13-33E-59.817800D | OSC XO 3.3V 59.8178MHZ OE | SIT8008AC-13-33E-59.817800D.pdf | |
![]() | K50-3C1SE55.0000 | 55MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Standby (Power Down) | K50-3C1SE55.0000.pdf | |
![]() | CPF0805B24K9E1 | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B24K9E1.pdf | |
![]() | CRCW04021R00FNTD | RES SMD 1 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021R00FNTD.pdf | |
![]() | 68HC68WI | 68HC68WI INTERSIL DIP-8 | 68HC68WI.pdf | |
![]() | 151CMQ040 | 151CMQ040 ORIGINAL SMD or Through Hole | 151CMQ040.pdf | |
![]() | OM8363H/N3/4 | OM8363H/N3/4 PHI QFP-80 | OM8363H/N3/4.pdf | |
![]() | ERA6EEB6652V | ERA6EEB6652V ORIGINAL SMD or Through Hole | ERA6EEB6652V.pdf | |
![]() | FDB33N25 | FDB33N25 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDB33N25 .pdf | |
![]() | HRS2H-S-5/12/24V | HRS2H-S-5/12/24V HKE SMD or Through Hole | HRS2H-S-5/12/24V.pdf | |
![]() | EL7531IY | EL7531IY INTERSIL TSSOP10 | EL7531IY.pdf |