창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFB8409 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF(B,S,SL)8409 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 주요제품 | 40 V Automotive-Qualified COOLiRFET™ MOSFET | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 450nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IRAUIRFB8409 SP001521544 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFB8409 | |
| 관련 링크 | AUIRFB, AUIRFB8409 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DE11XKX330JN4AC05F | 33pF 250V 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | DE11XKX330JN4AC05F.pdf | |
![]() | QYP1H473KTP | 0.047µF Film Capacitor 50V Polyester Radial 0.335" L x 0.217" W (8.50mm x 5.50mm) | QYP1H473KTP.pdf | |
| 2026-15-C4 | GDT 150V 20% 20KA THROUGH HOLE | 2026-15-C4.pdf | ||
![]() | CAT7104CU | CAT7104CU CAT TO-263 | CAT7104CU.pdf | |
![]() | M5295F | M5295F ENESAS SOP-8 | M5295F.pdf | |
![]() | DP83266VFC | DP83266VFC NSC PQFP | DP83266VFC.pdf | |
![]() | 1812-473j-50 | 1812-473j-50 AVX SMD1000 | 1812-473j-50.pdf | |
![]() | HM538121JP-10(KM428C | HM538121JP-10(KM428C HITACHI SOJ | HM538121JP-10(KM428C.pdf | |
![]() | SM6875M | SM6875M DECO SMD or Through Hole | SM6875M.pdf | |
![]() | M8051F558 | M8051F558 ORIGINAL DIP | M8051F558.pdf | |
![]() | P74HCT14D | P74HCT14D PHILIPS SMD or Through Hole | P74HCT14D.pdf |