창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFB3806 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFB3806 Overview | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.8m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001522276 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFB3806 | |
관련 링크 | AUIRFB, AUIRFB3806 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT9121AC-2B2-33E50.000000Y | OSC XO 3.3V 50MHZ | SIT9121AC-2B2-33E50.000000Y.pdf | |
![]() | NL453232T-101J-PF | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | NL453232T-101J-PF.pdf | |
![]() | 68X7195 | 68X7195 IR DIP4 | 68X7195.pdf | |
![]() | IMH8 | IMH8 ORIGINAL SOT-163 | IMH8 .pdf | |
![]() | RN5RK421B-TR-F | RN5RK421B-TR-F RICOH SMD or Through Hole | RN5RK421B-TR-F.pdf | |
![]() | F731503BGHC | F731503BGHC TI BGA | F731503BGHC.pdf | |
![]() | RVB-50V2R2M | RVB-50V2R2M ELNA 5X5.3 | RVB-50V2R2M.pdf | |
![]() | ZMM55-C3V0-RNM1-LF-3V0 | ZMM55-C3V0-RNM1-LF-3V0 GRANDE LL34 | ZMM55-C3V0-RNM1-LF-3V0.pdf | |
![]() | P89C52VBA | P89C52VBA ORIGINAL PLCC44 | P89C52VBA.pdf | |
![]() | LTBJQ | LTBJQ LINEAR SMD or Through Hole | LTBJQ.pdf | |
![]() | MAV-3SM TEL:82766440 | MAV-3SM TEL:82766440 MINI LEAD-4 | MAV-3SM TEL:82766440.pdf | |
![]() | 2SBC328-25 | 2SBC328-25 PHI TO-92 | 2SBC328-25.pdf |