창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7799L2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7799L2TR(1) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 375A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 4.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET L8 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001522796 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7799L2TR | |
관련 링크 | AUIRF77, AUIRF7799L2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 7M-37.400MEEJ-T | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-37.400MEEJ-T.pdf | |
![]() | TC25V6C32K7680 | 32.768kHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.5V 3mA Enable/Disable | TC25V6C32K7680.pdf | |
![]() | RB530XNTR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6 | RB530XNTR.pdf | |
![]() | 5430J | 5430J ITT DIP | 5430J.pdf | |
![]() | BC846BW(1B) | BC846BW(1B) NXP SOT323 | BC846BW(1B).pdf | |
![]() | 78L06-78L06 | 78L06-78L06 ORIGINAL SOT-89 | 78L06-78L06.pdf | |
![]() | 54198J/B | 54198J/B ORIGINAL SMD or Through Hole | 54198J/B.pdf | |
![]() | LM2672-ADJ | LM2672-ADJ LM SOP-8 | LM2672-ADJ.pdf | |
![]() | SAB-82532-N-10 V2.2 | SAB-82532-N-10 V2.2 SIEMENS DIP-SOP | SAB-82532-N-10 V2.2.pdf | |
![]() | pbl3798r | pbl3798r ERRISON SMD or Through Hole | pbl3798r.pdf | |
![]() | AR5110G | AR5110G ORIGINAL PQFP | AR5110G.pdf | |
![]() | WSI27C010L | WSI27C010L ORIGINAL WCDIP | WSI27C010L.pdf |