창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7675M2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7675M2TR(1) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Ta), 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 M2 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ M2 | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | SP001522164 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7675M2TR | |
관련 링크 | AUIRF76, AUIRF7675M2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | F931D336KNC | 33µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | F931D336KNC.pdf | |
![]() | SIT9001AC-33-33E2-18.43200Y | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE 0.50% | SIT9001AC-33-33E2-18.43200Y.pdf | |
![]() | S1008-152H | 1.5µH Shielded Inductor 545mA 420 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008-152H.pdf | |
![]() | C2568. | C2568. NEC TO-126 | C2568..pdf | |
![]() | BZB784-C6V2 MALAYSIA | BZB784-C6V2 MALAYSIA NXP SOT-323 | BZB784-C6V2 MALAYSIA.pdf | |
![]() | CJW02M-238 | CJW02M-238 ICS SSOP28 | CJW02M-238.pdf | |
![]() | SCD7912BTG | SCD7912BTG ON SMD or Through Hole | SCD7912BTG.pdf | |
![]() | R2J10190GA-A00DD | R2J10190GA-A00DD Renesas SMD or Through Hole | R2J10190GA-A00DD.pdf | |
![]() | 6984S | 6984S ORIGINAL SOP-8 | 6984S.pdf | |
![]() | MG2OOJ2YS50 | MG2OOJ2YS50 ORIGINAL SMD or Through Hole | MG2OOJ2YS50.pdf | |
![]() | 8DF3 | 8DF3 ST SOP8 | 8DF3.pdf | |
![]() | TLC549MP | TLC549MP TI DIP | TLC549MP.pdf |