창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7640S2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF7640S2TR(1) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | AUIRF7640S2TR1 Saber Model AUIRF7640S2TR1 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.8A(Ta), 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 SB | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET SB | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | SP001515728 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF7640S2TR | |
| 관련 링크 | AUIRF76, AUIRF7640S2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-FK1E391SP | 390µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 160 mohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | EEE-FK1E391SP.pdf | |
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![]() | LTC3417AEDHC#PBF | LTC3417AEDHC#PBF LINEAR QFN | LTC3417AEDHC#PBF.pdf | |
![]() | 10028917001 | 10028917001 FCI SMD | 10028917001.pdf | |
![]() | NZX6V2B | NZX6V2B NXP SMD or Through Hole | NZX6V2B.pdf | |
![]() | MNG14-6R/SX | MNG14-6R/SX M SMD or Through Hole | MNG14-6R/SX.pdf | |
![]() | TDA8362S7/4X | TDA8362S7/4X PHILIPS DIP-52 | TDA8362S7/4X.pdf | |
![]() | XC2V1000E-5FG456C | XC2V1000E-5FG456C XILINX SMD or Through Hole | XC2V1000E-5FG456C.pdf | |
![]() | EKMY160ETC331MH12D | EKMY160ETC331MH12D Chemi-con NA | EKMY160ETC331MH12D.pdf | |
![]() | FMS72510MTCT | FMS72510MTCT FSC TSSOP24 | FMS72510MTCT.pdf | |
![]() | TMP3520NS | TMP3520NS TI DIP | TMP3520NS.pdf |