창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7341QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7341Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 5.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001515768 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7341QTR | |
관련 링크 | AUIRF73, AUIRF7341QTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
250R05L180JV4T | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L180JV4T.pdf | ||
C2012CH1H102J060AA | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH1H102J060AA.pdf | ||
TNPU0805931RAZEN00 | RES SMD 931 OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU0805931RAZEN00.pdf | ||
12110539 | 12110539 DELPHI SMD or Through Hole | 12110539.pdf | ||
GUF10B | GUF10B gulf SMD or Through Hole | GUF10B.pdf | ||
1N9923PQV | 1N9923PQV RICHTCK SMD or Through Hole | 1N9923PQV.pdf | ||
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M5224FP710D | M5224FP710D MITSUBISHI SMD or Through Hole | M5224FP710D.pdf | ||
TPS61031RSA | TPS61031RSA TI QFN-16 | TPS61031RSA.pdf | ||
9330242702 | 9330242702 HARTING SMD or Through Hole | 9330242702.pdf |