창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7316QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7316Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 4.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001518472 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7316QTR | |
관련 링크 | AUIRF73, AUIRF7316QTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | S681K29X7RN6UJ5R | 680pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S681K29X7RN6UJ5R.pdf | |
![]() | RT1210CRB0754R9L | RES SMD 54.9 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB0754R9L.pdf | |
![]() | CMF60110K00BHR6 | RES 110K OHM 1W .1% AXIAL | CMF60110K00BHR6.pdf | |
![]() | E2E-X18ME1 2M | E2E-X18ME1 2M ORIGINAL DIP | E2E-X18ME1 2M.pdf | |
![]() | LABX LTC2900-2IDD | LABX LTC2900-2IDD NO QFN-10 | LABX LTC2900-2IDD.pdf | |
![]() | RM25JEN4R7 | RM25JEN4R7 KOA SMD or Through Hole | RM25JEN4R7.pdf | |
![]() | N1608ZL500T02 | N1608ZL500T02 NEC SMD | N1608ZL500T02.pdf | |
![]() | P89C60X2FN | P89C60X2FN PHILIPS DIP | P89C60X2FN.pdf | |
![]() | MF870180 | MF870180 ORIGINAL 2900 | MF870180.pdf | |
![]() | STBC337-25 Fe | STBC337-25 Fe ST TO-92 | STBC337-25 Fe.pdf | |
![]() | URZA200VH331M22X64LL | URZA200VH331M22X64LL UMITEDCHEMI-CON DIP | URZA200VH331M22X64LL.pdf |