창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7316QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7316Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 4.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001518472 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7316QTR | |
관련 링크 | AUIRF73, AUIRF7316QTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMR05C4R0DPDR | CMR MICA | CMR05C4R0DPDR.pdf | |
![]() | RT0402CRD0716K5L | RES SMD 16.5K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD0716K5L.pdf | |
![]() | HRG3216P-80R6-D-T5 | RES SMD 80.6 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-80R6-D-T5.pdf | |
![]() | ISL6613AECBZ-T | ISL6613AECBZ-T INTERSIL SOP8 | ISL6613AECBZ-T.pdf | |
![]() | D65013GF599 | D65013GF599 BROTHER QFP | D65013GF599.pdf | |
![]() | ISL9011IRCJE | ISL9011IRCJE INTERSIL QFP | ISL9011IRCJE.pdf | |
![]() | 0679-5000-0.5(SSQ5) | 0679-5000-0.5(SSQ5) BEL SMD or Through Hole | 0679-5000-0.5(SSQ5).pdf | |
![]() | 2297720-1 | 2297720-1 TELEDYNE AUDIP42 | 2297720-1.pdf | |
![]() | 111-152-10-20-10-LF | 111-152-10-20-10-LF WEITRONIC SMD or Through Hole | 111-152-10-20-10-LF.pdf | |
![]() | AFK476M35D16T | AFK476M35D16T CDE SMD | AFK476M35D16T.pdf | |
![]() | MAX8717ETI+T | MAX8717ETI+T MAXIM QFN | MAX8717ETI+T.pdf | |
![]() | TY9A0A111171KC40 | TY9A0A111171KC40 TOSHIBA FLASH | TY9A0A111171KC40.pdf |