창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7207QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7207Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 5.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001517970 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7207QTR | |
관련 링크 | AUIRF72, AUIRF7207QTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT2010DKE0786R6L | RES SMD 86.6 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0786R6L.pdf | ||
HRG3216P-2002-D-T5 | RES SMD 20K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2002-D-T5.pdf | ||
CMF5513K800BHEA | RES 13.8K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5513K800BHEA.pdf | ||
230-3100-076 | 230-3100-076 schott NA | 230-3100-076.pdf | ||
LH28F640SPHT-PTL12 | LH28F640SPHT-PTL12 SHARP TSSOP-56 | LH28F640SPHT-PTL12.pdf | ||
UDZS TE17 3.6B | UDZS TE17 3.6B ROHM SOD-323 | UDZS TE17 3.6B.pdf | ||
LD2-BW56SR-C11 | LD2-BW56SR-C11 COTCO SMD or Through Hole | LD2-BW56SR-C11.pdf | ||
DS2781 | DS2781 DS SSOP8 | DS2781.pdf | ||
LTBFJ | LTBFJ ORIGINAL SMD | LTBFJ.pdf | ||
A8K | A8K ON SMD or Through Hole | A8K.pdf | ||
10UH K | 10UH K TDK 3225 | 10UH K.pdf | ||
NTE359 | NTE359 NTE SMD or Through Hole | NTE359.pdf |