창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF6218S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF6218S/L | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001516490 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF6218S | |
관련 링크 | AUIRF6, AUIRF6218S 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0805D910JXBAP | 91pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910JXBAP.pdf | ||
P51-500-S-AA-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-500-S-AA-MD-5V-000-000.pdf | ||
20KW192A | 20KW192A MDE P-600 | 20KW192A.pdf | ||
QM200DY-2B | QM200DY-2B MIT SMD or Through Hole | QM200DY-2B.pdf | ||
NTD4858N-35H | NTD4858N-35H ONS IT32 | NTD4858N-35H.pdf | ||
16v100uf YXF | 16v100uf YXF ORIGINAL SMD or Through Hole | 16v100uf YXF.pdf | ||
GP1S396HCP | GP1S396HCP SHARP SMD or Through Hole | GP1S396HCP.pdf | ||
13240 | 13240 MOT QFN | 13240.pdf | ||
TDA7540B-12LF | TDA7540B-12LF ST ST | TDA7540B-12LF.pdf | ||
5D150V | 5D150V GVR CNR SMD or Through Hole | 5D150V.pdf | ||
0216010.MRET5P | 0216010.MRET5P LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0216010.MRET5P.pdf | ||
GLZ6.8A | GLZ6.8A PANJIT LL34 | GLZ6.8A.pdf |