창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3805S-7TRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 140A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7820pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001516538 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF3805S-7TRL | |
관련 링크 | AUIRF3805, AUIRF3805S-7TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BFC242011803 | 0.018µF Film Capacitor 160V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC242011803.pdf | |
![]() | 445I32A13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32A13M00000.pdf | |
![]() | VS-4ESH01HM3/86A | DIODE 100V 4A TO277A | VS-4ESH01HM3/86A.pdf | |
![]() | FSBH0F70NY | FSBH0F70NY FAIRCHIL DIP | FSBH0F70NY.pdf | |
![]() | 72131L35P | 72131L35P IDT SMD or Through Hole | 72131L35P.pdf | |
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![]() | A42MX16-TQG176I | A42MX16-TQG176I ACTEL SMD or Through Hole | A42MX16-TQG176I.pdf | |
![]() | AZ106F00 | AZ106F00 ORIGINAL DIP | AZ106F00.pdf | |
![]() | Q2006NH4 | Q2006NH4 ORIGINAL TO-263 | Q2006NH4.pdf | |
![]() | ABT16260 | ABT16260 ORIGINAL SOP | ABT16260.pdf | |
![]() | HCPL-2200-Y | HCPL-2200-Y HP DIP-8P | HCPL-2200-Y.pdf |