창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3504 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF3504 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 87A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.2m옴 @ 52A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 143W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001521622 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF3504 | |
| 관련 링크 | AUIRF, AUIRF3504 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1122NE1-025.0000 | 25MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | DSC1122NE1-025.0000.pdf | |
| FR40GR02 | DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 | FR40GR02.pdf | ||
![]() | 81C4256A-70 | 81C4256A-70 FUJ SMD or Through Hole | 81C4256A-70.pdf | |
![]() | MV95308C | MV95308C GPS DIP20 | MV95308C.pdf | |
![]() | 83054AGILF | 83054AGILF IDT SMD or Through Hole | 83054AGILF.pdf | |
![]() | 108-095 | 108-095 ORIGINAL SOP8 | 108-095.pdf | |
![]() | RF22530114BB | RF22530114BB TI SMD or Through Hole | RF22530114BB.pdf | |
![]() | LN2351P332MR | LN2351P332MR LN SMD or Through Hole | LN2351P332MR.pdf | |
![]() | HCTL2016 | HCTL2016 ORIGINAL DIP | HCTL2016.pdf | |
![]() | LLP1005-FH8N2C | LLP1005-FH8N2C ORIGINAL SMD or Through Hole | LLP1005-FH8N2C.pdf | |
![]() | HVU132TRF-E | HVU132TRF-E RENESAS SOD-323 | HVU132TRF-E.pdf | |
![]() | CQ12-222-N | CQ12-222-N KORIN SMD | CQ12-222-N.pdf |