창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3415 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF3415 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001516548 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF3415 | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRF3415 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | BB000057BJ10136BJ2 | 100pF 15000V(15kV) 세라믹 커패시터 | BB000057BJ10136BJ2.pdf | |
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![]() | AT0805BRD07220KL | RES SMD 220K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD07220KL.pdf | |
![]() | LDB25C201A0902E-404 | LDB25C201A0902E-404 MURATA 3225 | LDB25C201A0902E-404.pdf | |
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![]() | CM-OVER-021 | CM-OVER-021 CMAC SMD or Through Hole | CM-OVER-021.pdf | |
![]() | LTC6903CMS8#PBF/IM/HM. | LTC6903CMS8#PBF/IM/HM. Linear MSOP-8 | LTC6903CMS8#PBF/IM/HM..pdf | |
![]() | ADG408BRUZ. | ADG408BRUZ. ORIGINAL SMD or Through Hole | ADG408BRUZ..pdf | |
![]() | 59C13W-SC27 | 59C13W-SC27 ATMEL SOP8-5.2 | 59C13W-SC27.pdf | |
![]() | GRM43DR60J336KE01K | GRM43DR60J336KE01K MURATA SMD or Through Hole | GRM43DR60J336KE01K.pdf | |
![]() | LQG21C100N00T1 | LQG21C100N00T1 MURATA SMD or Through Hole | LQG21C100N00T1.pdf |