창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3205ZSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF3205Z(S) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | AUIRF3205ZSTRL-ND AUIRF3205ZSTRLTR SP001521632 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF3205ZSTRL | |
관련 링크 | AUIRF320, AUIRF3205ZSTRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MCR03ERTJ1R6 | RES SMD 1.6 OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03ERTJ1R6.pdf | |
![]() | CRL1206-JW-680ELF | RES SMD 68 OHM 5% 1/4W 1206 | CRL1206-JW-680ELF.pdf | |
![]() | 20J3K0 | RES 3K OHM 10W 5% AXIAL | 20J3K0.pdf | |
![]() | C601 | C601 NO 3 SOT-23 | C601.pdf | |
![]() | 35.445M | 35.445M ORIGINAL 49S | 35.445M.pdf | |
![]() | ESDLC12VD3B | ESDLC12VD3B MCC SOD-323 | ESDLC12VD3B.pdf | |
![]() | SS37SMB | SS37SMB TOS SMD or Through Hole | SS37SMB.pdf | |
![]() | SME250VB4R7M10X12 | SME250VB4R7M10X12 UCC SMD or Through Hole | SME250VB4R7M10X12.pdf | |
![]() | GU7818 | GU7818 GTM TO-263 | GU7818.pdf | |
![]() | SAB82C258A-20-N-V2.1 | SAB82C258A-20-N-V2.1 INFINEON PLCC | SAB82C258A-20-N-V2.1.pdf | |
![]() | NE8005A | NE8005A N/A PLCC | NE8005A.pdf | |
![]() | isp1761 | isp1761 PHILPSNXP QFP128 | isp1761.pdf |