창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF2804S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF2804(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001520210 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF2804S | |
관련 링크 | AUIRF2, AUIRF2804S 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CRCW12069K09FKTB | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12069K09FKTB.pdf | ||
IMC0402ER23NJ01 | 23nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 214 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER23NJ01.pdf | ||
MAPS-010143-001SMB | EVAL BOARD FOR MAPS-010143-TR050 | MAPS-010143-001SMB.pdf | ||
CF0520F/1 | CF0520F/1 CAMDEN SMD or Through Hole | CF0520F/1.pdf | ||
SA110S | SA110S INTELCORPORATION SMD or Through Hole | SA110S.pdf | ||
LM741J-8 | LM741J-8 NSC DIP8 | LM741J-8.pdf | ||
US2F-13 | US2F-13 DIODES DO214AA | US2F-13.pdf | ||
NP351-100-211-* | NP351-100-211-* YAMAICHI SMD or Through Hole | NP351-100-211-*.pdf | ||
IA82510 | IA82510 ORIGINAL DIP28 | IA82510.pdf | ||
3188GF332T450APA1 | 3188GF332T450APA1 CDE DIP | 3188GF332T450APA1.pdf | ||
SP6261K-L/TR | SP6261K-L/TR SP SOT23-5 | SP6261K-L/TR.pdf | ||
2SB649AL-C SOT-89 T/R | 2SB649AL-C SOT-89 T/R UTC SOT89 | 2SB649AL-C SOT-89 T/R.pdf |