창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1405ZSTRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF1405ZS,ZL | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SP001522112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF1405ZSTRL | |
| 관련 링크 | AUIRF140, AUIRF1405ZSTRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 4400POTB00 | 4400POTB00 INTEL BGA | 4400POTB00.pdf | |
![]() | 130A | 130A ORIGINAL SMD or Through Hole | 130A.pdf | |
![]() | EP1C6T256 | EP1C6T256 ORIGINAL QFP | EP1C6T256.pdf | |
![]() | UMS1N-TR | UMS1N-TR ROHM SOT-353 | UMS1N-TR.pdf | |
![]() | SAA6579. | SAA6579. PHI DIP | SAA6579..pdf | |
![]() | T90S5D42-48 | T90S5D42-48 ORIGINAL DIP | T90S5D42-48.pdf | |
![]() | AD9850B | AD9850B ADI TSSOP28 | AD9850B.pdf | |
![]() | 5867NLG | 5867NLG ON TO-252 | 5867NLG.pdf | |
![]() | 1812B474K101 100V | 1812B474K101 100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812B474K101 100V.pdf | |
![]() | FHZ2V8 | FHZ2V8 ORIGINAL LL-34 | FHZ2V8.pdf |