창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1404Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF1404Z(S,L) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001520218 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF1404Z | |
| 관련 링크 | AUIRF1, AUIRF1404Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | HC-49/U-S13500000ABJB | 13.5MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S13500000ABJB.pdf | |
![]() | SC29843VH15D03 | SC29843VH15D03 MOT BGA | SC29843VH15D03.pdf | |
![]() | LFEC3E-3QN208C | LFEC3E-3QN208C ORIGINAL QFP208 | LFEC3E-3QN208C.pdf | |
![]() | AD7914 | AD7914 ADI SOP | AD7914.pdf | |
![]() | NJM2872F33-TE1 | NJM2872F33-TE1 JRC SOT23-5 | NJM2872F33-TE1.pdf | |
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![]() | 9.1V | 9.1V DX DIP | 9.1V.pdf | |
![]() | ERA-6YEBxxxV | ERA-6YEBxxxV Panasonic SMD or Through Hole | ERA-6YEBxxxV.pdf | |
![]() | STP12NM60F | STP12NM60F ST TO-220 | STP12NM60F.pdf | |
![]() | FGL60N170 | FGL60N170 ORIGINAL TO-3PL | FGL60N170.pdf | |
![]() | CDR33BX104AMUM | CDR33BX104AMUM KEMET SMD | CDR33BX104AMUM.pdf | |
![]() | 7000-40351-2340500 | 7000-40351-2340500 MURR SMD or Through Hole | 7000-40351-2340500.pdf |