창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1324WL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF1324WL | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 설계/사양 | Copper 04/Mar/2016 Copper 04/Mar/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 195A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7630pF @ 19V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3 광폭 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262-3 와이드 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001516588 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF1324WL | |
| 관련 링크 | AUIRF1, AUIRF1324WL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | AP4002J | AP4002J APEC TO-220 | AP4002J.pdf | |
![]() | Z1200 | Z1200 EIC DO-41 | Z1200.pdf | |
![]() | 522712879 | 522712879 MOLEX SMD or Through Hole | 522712879.pdf | |
![]() | MSP58C040BPJM | MSP58C040BPJM TI 200SEALED | MSP58C040BPJM.pdf | |
![]() | 4992525 | 4992525 EPCOS TSOP56 | 4992525.pdf | |
![]() | 1825-0071(2BT8-0003) | 1825-0071(2BT8-0003) MARVELL BGA | 1825-0071(2BT8-0003).pdf | |
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