창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1324WL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF1324WL | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper 04/Mar/2016 Copper 04/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 195A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7630pF @ 19V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 광폭 리드 | |
공급 장치 패키지 | TO-262-3 와이드 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001516588 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF1324WL | |
관련 링크 | AUIRF1, AUIRF1324WL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 715P223516MA3 | ORANGE DROP | 715P223516MA3.pdf | |
![]() | 2300HT-151-H-RC | 150µH Shielded Toroidal Inductor 7.5A 50 mOhm Max Radial | 2300HT-151-H-RC.pdf | |
![]() | PA4305.564NLT | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 10.116 Ohm Max Nonstandard | PA4305.564NLT.pdf | |
![]() | RSF1FB249R | RES MO 1W 249 OHM 1% AXIAL | RSF1FB249R.pdf | |
![]() | HY27UAG8T2MTR-BC | HY27UAG8T2MTR-BC HY TSOP | HY27UAG8T2MTR-BC.pdf | |
![]() | 47UH-4*6 | 47UH-4*6 LY SMD or Through Hole | 47UH-4*6.pdf | |
![]() | EPM2TC32 | EPM2TC32 ORIGINAL QFP | EPM2TC32.pdf | |
![]() | ADII/730 | ADII/730 AD DIPSMD | ADII/730.pdf | |
![]() | G965-18ADJ | G965-18ADJ GMT SOP-8 | G965-18ADJ.pdf | |
![]() | RY-1509S/P | RY-1509S/P RECOM SIP-7 | RY-1509S/P.pdf | |
![]() | TB-21 | TB-21 MINI SMD or Through Hole | TB-21.pdf |