창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1324S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF1324S,L | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.65m옴 @ 195A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7590pF @ 24V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001518994 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF1324S | |
| 관련 링크 | AUIRF1, AUIRF1324S 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CPL10R0900FB143 | RES 0.09 OHM 10W 1% AXIAL | CPL10R0900FB143.pdf | |
![]() | MCL513 | MCL513 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCL513.pdf | |
![]() | SG-8002JC30MPCC-L2 | SG-8002JC30MPCC-L2 ORIGINAL SMD-4 | SG-8002JC30MPCC-L2.pdf | |
![]() | HG62F22M01FH | HG62F22M01FH HD QFP | HG62F22M01FH.pdf | |
![]() | BR24T04FVM-WTR | BR24T04FVM-WTR ROHM MSOP-8 | BR24T04FVM-WTR.pdf | |
![]() | MA-406-12.000MHZ-16PF | MA-406-12.000MHZ-16PF SEIKO X-TAL(11.7-4.0-3.5) | MA-406-12.000MHZ-16PF.pdf | |
![]() | AMP770601-2 | AMP770601-2 AMP SMD or Through Hole | AMP770601-2.pdf | |
![]() | 74LVT574DB | 74LVT574DB NXP SSOP-20 | 74LVT574DB.pdf | |
![]() | VS665N3 | VS665N3 ORIGINAL SMD or Through Hole | VS665N3.pdf | |
![]() | GRE-0915 | GRE-0915 ORIGINAL QFP-144P | GRE-0915.pdf | |
![]() | FC-638L | FC-638L N/A DIP | FC-638L.pdf |