창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP214-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ATP214 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.1m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ATP214-TL-H | |
| 관련 링크 | ATP214, ATP214-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SPD03N60C3ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK | SPD03N60C3ATMA1.pdf | |
![]() | ATCM2012-300T | ATCM2012-300T ARLITECH 0805L | ATCM2012-300T.pdf | |
![]() | UPD800815F1-011-AN2-A | UPD800815F1-011-AN2-A NEC BGA | UPD800815F1-011-AN2-A.pdf | |
![]() | M27C801-100F | M27C801-100F ST SMD or Through Hole | M27C801-100F.pdf | |
![]() | L6284 2.2 | L6284 2.2 STM QFP64 | L6284 2.2.pdf | |
![]() | 8873CRANG6HK1 | 8873CRANG6HK1 TOSHIBA DIP-64 | 8873CRANG6HK1.pdf | |
![]() | DE-H1G | DE-H1G NAN SOT23 | DE-H1G.pdf | |
![]() | BWL0603ST-12NGTR7 | BWL0603ST-12NGTR7 BI SMD | BWL0603ST-12NGTR7.pdf | |
![]() | HISDF3-3P-2DSA(01) | HISDF3-3P-2DSA(01) HIROSEELECTRICUKLTD SMD or Through Hole | HISDF3-3P-2DSA(01).pdf | |
![]() | 4000-72000-0150000 | 4000-72000-0150000 MURR SMD or Through Hole | 4000-72000-0150000.pdf | |
![]() | RSS090P03.TB | RSS090P03.TB ROHM SMD or Through Hole | RSS090P03.TB.pdf |