창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ATP208-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ATP208 | |
PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4510pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | ATPAK | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 869-1083-2 ATP208TLH | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ATP208-TL-H | |
관련 링크 | ATP208, ATP208-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 0603ZC105KAT2A | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZC105KAT2A.pdf | |
![]() | TV02W260-HF | TVS DIODE 26VWM 42.1VC SOD123 | TV02W260-HF.pdf | |
![]() | 402F16011CKR | 16MHz ±10ppm 수정 8pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F16011CKR.pdf | |
![]() | MMSZ5237C-HE3-18 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123 | MMSZ5237C-HE3-18.pdf | |
![]() | 1008-122J | 1.2µH Unshielded Inductor 591mA 430 mOhm Max Nonstandard | 1008-122J.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF1652V | RES SMD 16.5K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF1652V.pdf | |
![]() | MR62-9S | MR62-9S NEC SMD or Through Hole | MR62-9S.pdf | |
![]() | HD-LN | HD-LN ORIGINAL SMD or Through Hole | HD-LN.pdf | |
![]() | TEAT | TEAT ad dip | TEAT.pdf | |
![]() | ER3E-B SMB | ER3E-B SMB ORIGINAL SMD or Through Hole | ER3E-B SMB.pdf | |
![]() | R3112N451A-TR-F | R3112N451A-TR-F RICOH SOT23-5 | R3112N451A-TR-F.pdf | |
![]() | PWB2412MD-6W | PWB2412MD-6W MORNSUN DIP | PWB2412MD-6W.pdf |