창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP206-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ATP206 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1630pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 869-1081-2 ATP206TLH | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ATP206-TL-H | |
| 관련 링크 | ATP206, ATP206-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UKT1H102MHD | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT1H102MHD.pdf | ||
![]() | 406C35E24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35E24M00000.pdf | |
![]() | E3ZM-CR81 5M | SENSOR PHOTOELECTRIC 4M | E3ZM-CR81 5M.pdf | |
![]() | EPCIP8 | EPCIP8 ALTERA DIP8 | EPCIP8.pdf | |
![]() | NJM2368 | NJM2368 JRC SOP | NJM2368.pdf | |
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![]() | CXD2024AQ | CXD2024AQ SONY LQFP | CXD2024AQ.pdf | |
![]() | 57C010F-70DI | 57C010F-70DI WSI CDIP32 | 57C010F-70DI.pdf | |
![]() | TE28F160F3T120 | TE28F160F3T120 INTEL TSOP56 | TE28F160F3T120.pdf | |
![]() | DU1P0-12D15 | DU1P0-12D15 P-DUKE SMD or Through Hole | DU1P0-12D15.pdf | |
![]() | MC68340CAB25E | MC68340CAB25E ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68340CAB25E .pdf | |
![]() | KDS9003 | KDS9003 ORIGINAL DIP20 | KDS9003.pdf |