창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP104-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ATP104 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | ATPAK Assembly Site/Design Chgs 27/Jul/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3950pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 869-1074-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ATP104-TL-H | |
| 관련 링크 | ATP104, ATP104-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HC-49/U-S3686400ABJB | 3.6864MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S3686400ABJB.pdf | |
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![]() | AS-12W-K-B05-A | AS-12W-K-B05-A ORIGINAL SMD or Through Hole | AS-12W-K-B05-A.pdf | |
![]() | LM809LD-2.63 TEL:82766440 | LM809LD-2.63 TEL:82766440 NS SOT23-3 | LM809LD-2.63 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MF55D10025F | MF55D10025F VISHAY SMD or Through Hole | MF55D10025F.pdf | |
![]() | HY57V6532320BA-7 | HY57V6532320BA-7 ORIGINAL TSSOP | HY57V6532320BA-7.pdf |