창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ASM3I2669AF-06OR NOPB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ASM3I2669AF-06OR NOPB | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT163 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ASM3I2669AF-06OR NOPB | |
| 관련 링크 | ASM3I2669AF-, ASM3I2669AF-06OR NOPB 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27133CKT | 27.12MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133CKT.pdf | |
![]() | UB20DCT-E3/8W | DIODE RECT 20A 200V 35NS TO263AB | UB20DCT-E3/8W.pdf | |
| CP396V-2N2369A-CT | TRANS NPN SW 40V .2A CHIP FORM | CP396V-2N2369A-CT.pdf | ||
![]() | RG3216N-1100-D-T5 | RES SMD 110 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1100-D-T5.pdf | |
![]() | SPE32-100K | SPE32-100K RUNDEX 2520 | SPE32-100K.pdf | |
![]() | GVT73256A16TS-10 | GVT73256A16TS-10 GALVANTECH TSOP | GVT73256A16TS-10.pdf | |
![]() | DB105PBF | DB105PBF HITACHI SMD or Through Hole | DB105PBF.pdf | |
![]() | MOR286R3S | MOR286R3S INTP SMD or Through Hole | MOR286R3S.pdf | |
![]() | DM5408N | DM5408N NSC DIP14 | DM5408N.pdf | |
![]() | K6T1008V2E-GF70 | K6T1008V2E-GF70 SAMSUNG SOP32 | K6T1008V2E-GF70.pdf |