창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ASEMCC1-ZR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ASEMCC ASEMCC Drawing | |
3D 모델 | ASEMCC.pdf ASEMCC.stp | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
제조업체 | Abracon LLC | |
계열 | Pure Silicon™ ASEMCC | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 - 출력 1 | 24MHz, 27MHz, 74.25MHz, 148.5MHz | |
주파수 -출력 2 | - | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
전류 - 공급(최대) | 35mA | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 14-VFQFN 노출형 패드 | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
표준 포장 | 110 | |
다른 이름 | 535-9432 ASEMCC1ZR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ASEMCC1-ZR | |
관련 링크 | ASEMCC, ASEMCC1-ZR 데이터 시트, Abracon LLC 에이전트 유통 |
DFJ-600 | FUSE CRTRDGE 600A 600VAC/450VDC | DFJ-600.pdf | ||
0217.080H | FUSE GLASS 80MA 250VAC 5X20MM | 0217.080H.pdf | ||
TS147F33IDT | 14.7456MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS147F33IDT.pdf | ||
PT100R-1100-VM | 100µH Unshielded Toroidal Inductor 5.1A 50 mOhm Max Radial | PT100R-1100-VM.pdf | ||
RT1206CRB0778K7L | RES SMD 78.7KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB0778K7L.pdf | ||
RA07N4045M | RA07N4045M MIT H46 | RA07N4045M.pdf | ||
LDC15D190A0010AH081 | LDC15D190A0010AH081 MURATA SMD or Through Hole | LDC15D190A0010AH081.pdf | ||
CS6-10IO2 | CS6-10IO2 IXYS SMD or Through Hole | CS6-10IO2.pdf | ||
K4N561630G-ZC2A | K4N561630G-ZC2A SAMSUNG BGA | K4N561630G-ZC2A.pdf | ||
XC4013XL-08PQ208C | XC4013XL-08PQ208C XILINX QFP-208 | XC4013XL-08PQ208C.pdf | ||
SAK200-S12 | SAK200-S12 GANMA DIP | SAK200-S12.pdf | ||
MD83188/B | MD83188/B INTEL DIP | MD83188/B.pdf |