창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ASE1D-2M-10-Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ASE1D-2M-10-Z | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ASE1D-2M-10-Z | |
| 관련 링크 | ASE1D-2, ASE1D-2M-10-Z 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CKG57NX7R2E225M500JH | 2.2µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 스택 SMD, 2 J리드(Lead) 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) | CKG57NX7R2E225M500JH.pdf | |
![]() | VJ0603D620MXCAJ | 62pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D620MXCAJ.pdf | |
![]() | UP025CH1R2D-A-BZ | 1.2pF 50V 세라믹 커패시터 CH 축방향 0.079" Dia x 0.091" L(2.00mm x 2.30mm) | UP025CH1R2D-A-BZ.pdf | |
![]() | 4232R-822F | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 263mA 3 Ohm Max 2-SMD | 4232R-822F.pdf | |
![]() | TNPW12061M54BETA | RES SMD 1.54M OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12061M54BETA.pdf | |
![]() | SRA2 R50 | SRA2 R50 A/N SMD or Through Hole | SRA2 R50.pdf | |
![]() | GEFORCE GT120 1GB DDR2(LP)PCA | GEFORCE GT120 1GB DDR2(LP)PCA NVIDIAGEFORCE SMD or Through Hole | GEFORCE GT120 1GB DDR2(LP)PCA.pdf | |
![]() | G2E-184P-H-DC24V | G2E-184P-H-DC24V OMRON SMD or Through Hole | G2E-184P-H-DC24V.pdf | |
![]() | L4150391 | L4150391 ORIGINAL BGA | L4150391.pdf | |
![]() | 2N1398 | 2N1398 ORIGINAL CAN | 2N1398.pdf | |
![]() | PIC16C505-04I/P. | PIC16C505-04I/P. Microchip DIP14 | PIC16C505-04I/P..pdf | |
![]() | MP8675DN | MP8675DN MPS SOP-8 | MP8675DN.pdf |