창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AS12J10R0ET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AS Series | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | AS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 10 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 펄스 내성 | |
| 온도 계수 | ±400ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.122" L x 0.061" W(3.10mm x 1.55mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AS12J10R0ET | |
| 관련 링크 | AS12J1, AS12J10R0ET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | 416F25025CDT | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025CDT.pdf | |
| MDB8S | IC BRIDGE DIODE 800V 4-MICRODIP | MDB8S.pdf | ||
![]() | P1500E-9 | P1500E-9 COSEL ACDCOUT9V167A | P1500E-9.pdf | |
![]() | PSMMF3549 | PSMMF3549 ORIGINAL PLCC28 | PSMMF3549.pdf | |
![]() | E218 | E218 ORIGINAL QFN-12 | E218.pdf | |
![]() | IPD60R950C6TR | IPD60R950C6TR Infineon SMD or Through Hole | IPD60R950C6TR.pdf | |
![]() | SKM195GAR063DN | SKM195GAR063DN SEMIKROM SMD or Through Hole | SKM195GAR063DN.pdf | |
![]() | CY7C63002A-SXC | CY7C63002A-SXC CYPRESS SOP | CY7C63002A-SXC.pdf | |
![]() | HI305075Z | HI305075Z INTERSIL DIP | HI305075Z.pdf | |
![]() | XP0438J00L | XP0438J00L PANA SOT23 | XP0438J00L.pdf | |
![]() | TC74VHC153S | TC74VHC153S TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74VHC153S.pdf | |
![]() | CS316 | CS316 ORIGINAL PLCC-44 | CS316.pdf |