창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AQV210EHAZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AQV210E, AQV21xEH PhotoMOS® Dimensions | |
| 기타 관련 문서 | AQx REACH Cert of Compliance How to Read Date Codes | |
| 애플리케이션 노트 | Working with Optically-Isolated Relays | |
| 설계 리소스 | PhotoMOS Schematic & Wiring Diagrams | |
| 주요제품 | PhotoMOS™ Relays | |
| 종류 | 계전기 | |
| 제품군 | 무접점 계전기 | |
| 제조업체 | Panasonic Electric Works | |
| 계열 | PhotoMOS™ AQV | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 | SPST-NO(A형 1개) | |
| 출력 유형 | AC, DC | |
| 온스테이트 저항(최대) | 35옴 | |
| 부하 전류 | 130mA | |
| 전압 - 입력 | 1.14VDC | |
| 전압 - 부하 | 0 ~ 350 V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 종단 유형 | 갈매기날개형 | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SMD | |
| 계전기 유형 | 계전기 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 255-3373-2 AQV210EHAZ-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AQV210EHAZ | |
| 관련 링크 | AQV210, AQV210EHAZ 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
| PCV1C681MCL2GS | 680µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 19 mOhm 3000 Hrs @ 105°C | PCV1C681MCL2GS.pdf | ||
![]() | HP7-1(SC413113CFN2) | HP7-1(SC413113CFN2) MOT PLCC44 | HP7-1(SC413113CFN2).pdf | |
![]() | 74LVC2G32DP,125 | 74LVC2G32DP,125 NXP SMD or Through Hole | 74LVC2G32DP,125.pdf | |
![]() | BTA08-600CRG(E) | BTA08-600CRG(E) STM SMD or Through Hole | BTA08-600CRG(E).pdf | |
![]() | CS18LV20483 | CS18LV20483 ORIGINAL SMD or Through Hole | CS18LV20483.pdf | |
![]() | AET760UD00-30DA98Z | AET760UD00-30DA98Z Infineon SMD or Through Hole | AET760UD00-30DA98Z.pdf | |
![]() | SFM101T | SFM101T TDK SMD or Through Hole | SFM101T.pdf | |
![]() | IR219A | IR219A IR SOP14 | IR219A.pdf | |
![]() | TC74HC32AFELF | TC74HC32AFELF TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74HC32AFELF.pdf | |
![]() | NRWA470M10V5X11F | NRWA470M10V5X11F NIC DIP | NRWA470M10V5X11F.pdf |