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Microsemi Corporation APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G
제조업체 부품 번호
APTM60A11FT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
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APTM60A11FT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM60A11FT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM60A11UT1G
Power Products Catalog
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A
Rds On(최대) @ Id, Vgs132m옴 @ 33A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs330nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10552pF @ 25V
전력 - 최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP1
공급 장치 패키지SP1
표준 포장 1
다른 이름APTM60A11UT1G
APTM60A11UT1G-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM60A11FT1G
관련 링크APTM60A, APTM60A11FT1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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