창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM50UM13SAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM50UM13SAG Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 335A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 167.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 20mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 800nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 42200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3290W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM50UM13SAG | |
관련 링크 | APTM50U, APTM50UM13SAG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 15nH (HK1608 15N J) | 15nH (HK1608 15N J) INFNEON SMD or Through Hole | 15nH (HK1608 15N J).pdf | |
![]() | 3625/20-100M | 3625/20-100M M SMD or Through Hole | 3625/20-100M.pdf | |
![]() | RCA41 | RCA41 ORIGINAL TO-220 | RCA41.pdf | |
![]() | LUDZTE-175.6B 5.6V | LUDZTE-175.6B 5.6V ROHM SOD323 | LUDZTE-175.6B 5.6V.pdf | |
![]() | IN5822-SS34 | IN5822-SS34 TOSHIBA SMD or Through Hole | IN5822-SS34.pdf | |
![]() | SLH1250-5R6M | SLH1250-5R6M YAGEO SMD | SLH1250-5R6M.pdf | |
![]() | ADS7822PG4 | ADS7822PG4 TI DIP-8 | ADS7822PG4.pdf | |
![]() | DG506AWI | DG506AWI MAX SOP-28 | DG506AWI.pdf | |
![]() | SIPC06AN20 | SIPC06AN20 Infineon SMD or Through Hole | SIPC06AN20.pdf | |
![]() | 888.5MHZ(HWCA102) | 888.5MHZ(HWCA102) HITACHI 3X3-6P | 888.5MHZ(HWCA102).pdf | |
![]() | SMG16VB47MF50 | SMG16VB47MF50 NIPPON SMD or Through Hole | SMG16VB47MF50.pdf |