창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50HM75STG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50HM75STG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50HM75STG | |
| 관련 링크 | APTM50H, APTM50HM75STG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRGH0805F41R2 | RES SMD 41.2 OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F41R2.pdf | |
![]() | EXB-U28470JX | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 0804 | EXB-U28470JX.pdf | |
![]() | M6106/19-003 | M6106/19-003 ORIGINAL SMD or Through Hole | M6106/19-003.pdf | |
![]() | TC7SH00FU H1 | TC7SH00FU H1 ORIGINAL SOT-353 | TC7SH00FU H1.pdf | |
![]() | PCF8754AT | PCF8754AT PHILIPS SOIC16 | PCF8754AT.pdf | |
![]() | 1445A | 1445A ORIGINAL DIP-8 | 1445A.pdf | |
![]() | 72235LB10PF | 72235LB10PF IDT SMD or Through Hole | 72235LB10PF.pdf | |
![]() | LMM6655MA | LMM6655MA NS SOP-8 | LMM6655MA.pdf | |
![]() | TSL0809R-150K2R6-1P | TSL0809R-150K2R6-1P TDK SMD or Through Hole | TSL0809R-150K2R6-1P.pdf | |
![]() | 44CH05C | 44CH05C ORIGINAL SMD or Through Hole | 44CH05C.pdf | |
![]() | SXE50VB470M | SXE50VB470M nec SMD or Through Hole | SXE50VB470M.pdf | |
![]() | M24256-AWBN6 | M24256-AWBN6 ST DIP-8 | M24256-AWBN6.pdf |