창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50HM75FTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50HM75FTG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50HM75FTG | |
| 관련 링크 | APTM50H, APTM50HM75FTG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MCT06030D7681BP500 | RES SMD 7.68KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D7681BP500.pdf | |
![]() | MAX232ECDR | MAX232ECDR TI RS-232 | MAX232ECDR.pdf | |
![]() | ADM6315-26D4ARTZ-RL7 | ADM6315-26D4ARTZ-RL7 AD SOT-143 | ADM6315-26D4ARTZ-RL7.pdf | |
![]() | APT8075AN | APT8075AN APT SMD or Through Hole | APT8075AN.pdf | |
![]() | S8MC | S8MC DIODES PowerDI-123 | S8MC.pdf | |
![]() | PC74924AFBRZ | PC74924AFBRZ MOT SOP | PC74924AFBRZ.pdf | |
![]() | RR1220S-R068-G | RR1220S-R068-G ORIGINAL SMD or Through Hole | RR1220S-R068-G.pdf | |
![]() | C3531 | C3531 NEC TO-220 | C3531.pdf | |
![]() | 52464 | 52464 TYCO SMD or Through Hole | 52464.pdf | |
![]() | HYUF643AL | HYUF643AL HYUNDAI BGA | HYUF643AL.pdf | |
![]() | MVA35VC100MF80E0 | MVA35VC100MF80E0 nippon SMD or Through Hole | MVA35VC100MF80E0.pdf | |
![]() | K9K1208Q0C-JIBO | K9K1208Q0C-JIBO SAMSUNG BGA | K9K1208Q0C-JIBO.pdf |