창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50H15FT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50H15UT1G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5448pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM50H15UT1G APTM50H15UT1G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50H15FT1G | |
| 관련 링크 | APTM50H, APTM50H15FT1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 06031J3R9AAWTR | 3.9pF Thin Film Capacitor 100V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06031J3R9AAWTR.pdf | |
![]() | 7508-RC | 5mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.3A DCR 100 mOhm | 7508-RC.pdf | |
![]() | ERJ-S02F63R4X | RES SMD 63.4 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F63R4X.pdf | |
![]() | HY57V643220TC-6 | HY57V643220TC-6 HY TSSOP | HY57V643220TC-6.pdf | |
![]() | SII15LAC100 | SII15LAC100 ORIGINAL QFP | SII15LAC100.pdf | |
![]() | 2220W4 | 2220W4 ORIGINAL SSOP20 | 2220W4.pdf | |
![]() | 100AC60 | 100AC60 IR SMD or Through Hole | 100AC60.pdf | |
![]() | AD444BN | AD444BN AD DIP | AD444BN.pdf | |
![]() | R1234D251B-TR-F | R1234D251B-TR-F RICOH SMD or Through Hole | R1234D251B-TR-F.pdf | |
![]() | FSX-6M2-13.000MHZ | FSX-6M2-13.000MHZ FUJICOM SMD or Through Hole | FSX-6M2-13.000MHZ.pdf | |
![]() | DAC122S085EB | DAC122S085EB NS SMD or Through Hole | DAC122S085EB.pdf |