창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM50DDA10T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM50DDA10T3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4367pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM50DDA10T3G | |
관련 링크 | APTM50DD, APTM50DDA10T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 31762-133 | AC/DC | 31762-133.pdf | |
![]() | DP11VN20B25P | DP11 VER 20P NDET 25P M7*7MM | DP11VN20B25P.pdf | |
![]() | MS27408-5E | MS27408-5E Honeywell SMD or Through Hole | MS27408-5E.pdf | |
![]() | ML6554CW | ML6554CW ML SOP16 | ML6554CW.pdf | |
![]() | PNX8541E/0430 | PNX8541E/0430 NXP BGA | PNX8541E/0430.pdf | |
![]() | M55310/16-B41A 30M00000 | M55310/16-B41A 30M00000 Q-TECH JINZHEN14 | M55310/16-B41A 30M00000.pdf | |
![]() | JRC2940 | JRC2940 JRC SOP8 | JRC2940.pdf | |
![]() | LTC2921CGN-3.3#PBF | LTC2921CGN-3.3#PBF LT SMD or Through Hole | LTC2921CGN-3.3#PBF.pdf | |
![]() | SPT7730SCS | SPT7730SCS SIGNALPROCESSINGTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | SPT7730SCS.pdf | |
![]() | S25FL008A0LMFI000 | S25FL008A0LMFI000 SPANSION SOP8 | S25FL008A0LMFI000.pdf |