창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20UM09SG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM20UM09S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 74.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 217nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | J3 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20UM09SG | |
| 관련 링크 | APTM20U, APTM20UM09SG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012N-2370-D-T5 | RES SMD 237 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-2370-D-T5.pdf | |
![]() | RG1608P-7321-W-T1 | RES SMD 7.32K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-7321-W-T1.pdf | |
![]() | Y6071111R000B0L | RES 111 OHM .3W .1% RADIAL | Y6071111R000B0L.pdf | |
![]() | SF108 | SF108 GD DO-41 | SF108.pdf | |
![]() | REF02GSZ | REF02GSZ AD SOP-8 | REF02GSZ.pdf | |
![]() | DB080A50880ASTR | DB080A50880ASTR AVX SMD or Through Hole | DB080A50880ASTR.pdf | |
![]() | HFBR-2412T | HFBR-2412T SHARP DIP SOP | HFBR-2412T.pdf | |
![]() | 16v47uf YXF | 16v47uf YXF ORIGINAL SMD or Through Hole | 16v47uf YXF.pdf | |
![]() | MX26C1000APC-12 | MX26C1000APC-12 MXIC DIP32 | MX26C1000APC-12.pdf | |
![]() | SM5817A | SM5817A NPC SMD | SM5817A.pdf | |
![]() | IN4007S T/B | IN4007S T/B PEC SMD or Through Hole | IN4007S T/B.pdf | |
![]() | LM258AWY | LM258AWY STM MSOP | LM258AWY.pdf |