창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM20UM04SAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM20UM04SAG Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 417A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 208.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 560nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1560W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM20UM04SAG | |
관련 링크 | APTM20U, APTM20UM04SAG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
8532R-30H | 270µH Unshielded Inductor 800mA 557 mOhm Max 2-SMD | 8532R-30H.pdf | ||
Y00893K97000TR0L | RES 3.97K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00893K97000TR0L.pdf | ||
LSMBT1000LT1 / 3BB | LSMBT1000LT1 / 3BB MOTOROAL SOT-23 | LSMBT1000LT1 / 3BB.pdf | ||
CC848852095 | CC848852095 ORIGINAL SMD or Through Hole | CC848852095.pdf | ||
KSA1010YTU_Q | KSA1010YTU_Q FSC SMD or Through Hole | KSA1010YTU_Q.pdf | ||
NPCE791AAODX | NPCE791AAODX NUVOTON SMD or Through Hole | NPCE791AAODX.pdf | ||
6MM 40PF | 6MM 40PF ORIGINAL SMD or Through Hole | 6MM 40PF.pdf | ||
RT9011-QQGQWC | RT9011-QQGQWC RICHTEK QFN | RT9011-QQGQWC.pdf | ||
0402 560K F | 0402 560K F TASUND SMD or Through Hole | 0402 560K F.pdf | ||
BA01262 | BA01262 Mitsubis SMD or Through Hole | BA01262.pdf |